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SYSCOMModeloIRF9Z30
Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB
- Montaje through-hole en PCB estándar
- Rango operativo -55°C a 150°C de unión
- Carga de compuerta 39 nC para conmutación eficiente
- Capacitancia de entrada 900 pF controlada
- Voltaje de compuerta ±20 V para protección robusta
- Encapsulado TO-220AB con disipación térmica optimizada
Descripción del SYSCOM IRF9Z30
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.
Características principales
- MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
- Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
- Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
- Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
- Disipación de potencia máxima: 74 W
- Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
- Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
- Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
- Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
- Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
- Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB
Tipo de FET
P-Channel MOSFET
VDSS
50 V
ID @ 25°C
18 A (TC)
RDS(on) máx.
140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
Voltaje de drive
10 V (máx. RDS on, mín. RDS on)
VGS(th) máx.
4 V @ 250 µA
Qg máx. @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS máx.
±20 V
Ciss máx. @ VDS
900 pF @ 25 V
Disipación máx.
74 W (TC)
Temperatura operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulado
TO-220AB, Through hole
Especificaciones técnicas del IRF9Z30
| Especificación | Detalle |
|---|---|
| Modelo | IRF9Z30 |
| Marca | SYSCOM |
| Garantía | 3 años |
| Clave SAT | 32111602 |
| Peso | 0.01 |
| Alto | 4 |
| Largo | 15 |
| Ancho | 11 |