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Tecnología avanzada de semiconductores de potencia
Operación estable en sistemas de alta tensión
Diseño robusto para aplicaciones industriales exigentes
Compatibilidad con sistemas de conmutación modernos
Descripción del MITSUBISHI RD60-HUF1-101
Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Con una capacidad de operación a 850V y 110A de corriente continua, ofrece un rendimiento excepcional en sistemas que demandan control preciso de energía. Su encapsulado TO-247 garantiza una disipación térmica superior, permitiendo una operación sostenida incluso bajo cargas elevadas de 150W. La tecnología de semiconductores avanzada de Mitsubishi asegura confiabilidad y durabilidad en aplicaciones críticas de conversión de energía.
Características Principales
Transistor FET de alta potencia para conmutación eficiente
Voltaje máximo de operación de 850V
Corriente continua de 110A
Disipación de potencia de 150W
Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
Marca
Mitsubishi
Modelo
RD60HUF1101
Tipo
Transistor FET de Potencia
Voltaje Máximo
850V
Corriente Continua
110A
Disipación de Potencia
150W
Encapsulado
TO-247
Aplicación
Sistemas de conmutación de alta eficiencia
Especificaciones técnicas del RD60-HUF1-101
Especificación
Detalle
Modelo
RD60-HUF1-101
Marca
MITSUBISHI
Garantía
1 años
Clave SAT
32101500
Peso
0.01
Transistor MOSFET de Potencia MITSUBISHI RD60-HUF1-101 | ADAR Supplies